FQP2N60C, FQPF2N60C دیتاشیت

FQP2N60C, FQPF2N60C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQP2N60C, FQPF2N60C
حجم فایل 1634.906 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

دانلود دیتاشیت FQP2N60C, FQPF2N60C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220F
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
  • Base Part Number: FQPF2
  • detail: N-Channel 600V 2A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220F